单项选择题
以下对于硅外延生长描述不正确的是（）。
A.生长速率随着气体流量的增加而增大B.不同的晶向生长速率不同C.温度影响硅外延生长速率，温度越高外延层的生长速率越高D.气体和载体的比例影响硅外延生长的速率，存在一个最佳比例生长速率最高
单项选择题 以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）。
单项选择题 以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）。
单项选择题 以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）。
