单项选择题
以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）。
A.采用低温外延技术B.采用背封技术，如生长二氧化硅或者多晶硅C.采用含卤原子的硅源D.外延生长前高温加热沉底，表面形成耗尽层
单项选择题 以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）。
单项选择题 以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）。
单项选择题 以下对于直拉生长描述错误的是（）。
