单项选择题
以下不是外延硅的主要缺陷()。
A.位错B.夹层C.氧沉淀D.层错
单项选择题 以下对于硅外延生长描述不正确的是()。
单项选择题 以下抑制自掺杂的方法不正确的是()。
单项选择题 以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是()。