单项选择题
以下对于非晶硅薄膜描述错误的是（）。
A.非晶硅与单晶硅的raman谱的峰位不同B.非晶硅的光吸收系数高于单晶硅，有利于光电转换C.非晶硅的能带结构与晶体硅相同，禁带宽度均为1.12eVD.由于非晶硅薄膜中存在比较高的缺陷和局域态密度，通常不能进行掺杂
单项选择题 以下不是外延硅的主要缺陷（）。
单项选择题 以下对于硅外延生长描述不正确的是（）。
单项选择题 以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）。
