判断题 在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零。

判断题 产生直接跃迁与间接跃迁的原因主要取决于半导体材料的能带结构。

判断题 晶体缺陷分为点缺陷，面缺陷和线缺陷？