问答题
简答题
简述化学机械平坦化的工作原理。它的抛光速率受哪些因素的影响？
【参考答案】
CMP是利用wafer和抛光头之间的运动来平坦化wafer表面的，通过比去除低处图形快的速度去除高处图形来获得平坦的wa......
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