多项选择题
本征硅的载流子浓度说法中，哪些是正确的？（）
A.空穴在价带中
B.电子在导带中
C.电子浓度等于空穴浓度
D.电子浓度随温度升高而增大
E.空穴浓度随温度升高而增大
F.空穴浓度和电子浓度之和随温度升高而增大
G.空穴浓度和电子浓度之乘积随温度升高而增大
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多项选择题
决定本征硅的载流子浓度的因素有（）。
A.状态密度
B.温度
C.费米能级
D.导带能级密度 -
多项选择题
关于费米能级的说法中，正确的有（）。
A.纯硅的费米能级位于带隙正中央
B.掺杂了铝的硅的费米能级靠近价带
C.掺杂了锗的硅的费米能级靠近导带
D.施主型半导体的费米能级靠近价带 -
多项选择题
对于纯硅而言，进行施主型掺杂以后（）。
A.电子浓度增大
B.硅的带隙中出现了施主能级
C.少子数量增大
D.施主型载流子浓度就是多子浓度
