考题列表
- 填空题 晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。
- 填空题 晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的P...
- 填空题 “合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶...
- 填空题 双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。
- 填空题 双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。
- 填空题 （）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
- 填空题 第一块集成电路发明于（）年。
- 填空题 1947年，（）等人制造了第一个晶体管。
- 填空题 半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。
- 填空题 半导体的主要特征有（）（）（）和（）。
- 判断题 氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的...
- 判断题 MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极...
- 判断题 半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
- 判断题 绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
- 判断题 理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，...
- 判断题 p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。
- 判断题 栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。
- 判断题 n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增...
- 判断题 MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
- 判断题 栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
- 判断题 MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
- 判断题 MOS管阈值电压的单位是eV。
- 判断题 处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。
- 判断题 MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。
- 判断题 MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压...
- 判断题 绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。
- 判断题 MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
- 判断题 当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的...
- 判断题 P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。
- 判断题 理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
- 判断题 处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管，栅极将失去对漏源电流的...
- 判断题 实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有...
- 判断题 P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
- 判断题 N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
- 判断题 MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
- 判断题 N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。
- 判断题 N沟耗尽型MOS管的工作载流子是空穴。
- 判断题 当MOS管处在饱和工作区时，导电沟道相当于一个零电阻的导体。
- 判断题 MOS的栅极加电压高于衬底电压称为正偏压。
- 判断题 处于线性工作区的MOS管，栅极电压将对电流不产生影响。
