欢迎来到财会考试题库网
财会考试题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
理学
>
物理学
>
材料物理性能
>
半导体材料
搜题找答案
判断题
当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
【参考答案】
错误
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
判断题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
判断题
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
判断题
处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管,栅极将失去对漏源电流的控制作用。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题