欢迎来到财会考试题库网 财会考试题库官网
logo
全部科目 > 大学试题 > 理学 > 物理学 > 材料物理性能 > 半导体材料

判断题

n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。

    【参考答案】

    错误

    点击查看答案
    微信小程序免费搜题
    微信扫一扫,加关注免费搜题

    微信扫一扫,加关注免费搜题