单项选择题
若一导线宽为W，高为H，则对于较大的W/H，边缘场电容模型中的总电容可以近似为（），而当W/H小于1.5时，总电容中占主要部分的是（）。
A.接地电容；边缘电容
B.平板电容；接地电容
C.平板电容；边缘电容
D.边缘电容；平板电容
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单项选择题
在考虑一条简单的矩形导线放在半导体衬底上时，如果导线的宽度明显大于它与衬底之间的绝缘材料的厚度时，就可以假设电场线（）于电容极板，那么这两者之间的电容就可以用平行板电容模型来模拟，总电容可近似为（）。
A.平行；Cint=（tdi/εdi）×WL
B.平行；Cint=（εdi/tdi）×WL
C.垂直；Cint=（tdi/εdi）×WL
D.垂直；Cint=（εdi/tdi）×WL -
填空题
为了保证新器件与现有器件兼容，电压不能随意地缩放，所以恒定电场缩小模式不是一种现实可行的选择。热载流子效应和栅氧击穿这样一些物理效应，使恒定（）缩小模式不再被使用。 -
填空题
当晶体管的W值较小时，受窄沟道效应的影响，晶体管的阈值电压（）（填“升高”或“降低”）。
