问答题
简答题
试说明热氧化法的两种基本方法及每种方法的生长机理（或过程），并比较两种方法的主要异同点。
【参考答案】
干氧氧化：氧化开始时，是氧分子与硅片表面的硅原子进行化学反应，形成初始氧化层，其反应方程式为：Si+O2 (↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
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