考题列表
- 判断题 二极管存在最高工作频率是因为PN 结有电容效应。
- 判断题 二极管交流等效电路参数与其静态参数无关。
- 判断题 若在直流电路中硅二极管导通，则其导通电压均可认为0.7V。
- 判断题 理想二极管模型在直流电路分析中误差很大，因此不能使用。
- 判断题 二极管只能通过直流电，不能通过交流电。
- 判断题 普通二极管是由PN 结引出电极封装而成的。
- 判断题 点接触型比面接触型二极管的结电容面积小，因此其最高工作频率低。
- 单项选择题 关于PN 结的导电，下列叙述不正确的是：（）
- 单项选择题 半导体获得广泛应用的原因是（）
- 单项选择题 下列半导体材料热敏特性突出的是（）
- 判断题 结电容是常量。
- 判断题 PN 结的单向导电性与外加电压频率无关。
- 判断题 漂移运动方向是从N 区到P 区。
- 判断题 在PN 结形成过程中，空穴的扩散运动方向是从P 区到N 区。
- 判断题 在PN 结中，P 区的电势比N 区高。
- 判断题 因电场作用所产生的运动称为扩散运动。
- 判断题 与多数载流子相比，少数载流子的浓度受温度影响大。
- 判断题 在P 型半导体中，空穴浓度大于自由电子浓度。
- 判断题 本征半导体导电性能很差。
- 判断题 自由电子是载流子，空穴不是。
- 判断题 自由电子带负电，空穴带正电。
- 判断题 纯净的半导体称为本征半导体。
- 问答题 试说明硅工艺中常用掺杂杂质B，P，As的扩散特性。
- 名词解释 发射区推进效应
- 名词解释 OED/ORD
- 名词解释 薄层电阻
- 问答题 试说明横向扩散以及横向扩散的主要影响。
- 问答题 什么是扩散的相互作用？试举一例说明其对半导体器件的制造有何影...
- 问答题 说明氧化气氛对扩散有何影响及原因？
- 问答题 根据空位机制下的总扩散系数公式，给出本征硅，低浓度掺杂，N型...
- 问答题 列出并解释替位杂质在硅中的三种主要扩散机制。
- 问答题 试说明扩散工艺中常用的扩散掺杂方法，并说明当前实际工艺中使用...
- 问答题 淀积扩散主要受哪些因素的控制？
- 问答题 举例说明什么是同型掺杂和反型掺杂及各自的目的。
- 问答题 试说明半导体制造中扩散工艺的主要目的。列出并解释实际扩散工艺...
- 问答题 明两步扩散法的基本思想，及其每一步工艺的主要特点和目的。
- 问答题 解释有限表面源扩散，列出有限表面源扩散的三种主要工艺参数，并...
- 问答题 列出恒定表面源扩散的三种主要工艺参数，并说明其含义和主要影响因素。
- 问答题 什么是恒定表面源扩散？其扩散形成的结深主要受哪些因素的影响？...
- 问答题 解释扩散系数及其物理含义，并说明影响扩散系数的主要因素是什么...
