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单项选择题
NMOS器件的衬底是（）型半导体。
A.N型
B.P型
C.本征型
D.耗尽型 -
单项选择题
当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。
A.积累
B.耗尽
C.导通
D.夹断 -
单项选择题
在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）
A.增大
B.减小
C.不变
D.先减小后增大
