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单项选择题
在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）
A.增大
B.减小
C.不变
D.先减小后增大 -
单项选择题
当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）
A.增大
B.减小
C.不变
D.先增大后减小 -
单项选择题
耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）
A.大于零
B.等于零
C.大于0.7V
D.小于零
