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问答题
计算题
硅晶体管的标称耗散功率为20W，总热阻为5℃/W，满负荷条件下允许的最高环境温度是多少？（硅T
jm
=200℃，锗T
jm
=100℃）
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问答题
已知npn非均匀基区晶体管的有关参数为xjc=5μm，xje=3μm，电子扩散系数Dn=8cm2/s，τn=1μs，本征基区方块电阻RsB=2500Ω，RsE=5Ω计算其电流放大系数α、β。
问答题
硅npn晶体管的材料参数和结构如下： 计算晶体管的发射结注入效率γ，基区输运系数αT，VBE=0.55V，计算复合系数δ，并由此计算晶体管的共发射极电流放大系数β。
问答题
已知硅p+n结n区电阻率为1Ω·cm，求pn结的雪崩击穿电压，击穿时的耗尽区宽度和最大电场强度。（硅pn结Ci=8.45×10-36cm-1，锗pn结Ci=6.25×10-34cm-1）
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