单项选择题
II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。
A.点阵中的金属原子间隙
B.一种在禁带中引入施主的点缺陷
C.点阵中的点阵中的金属原子空位
D.一种在禁带中引入受主的位错
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单项选择题
电子在晶体中的共有化运动是指（）。
A.电子在晶体中各处出现的几率相同
B.电子在晶体原胞中各点出现的几率相同
C.电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同
D.电子在晶体各原胞对应点的相位相同 -
单项选择题
最小电导率出现在（）型半导体。
A.n
B.p
C.本征 -
问答题
硝酸（HNO3）。
