多项选择题
在STI工艺中，缓冲氧化层和氮化硅采用工艺技术正确的是（）。
A.氮化硅用常压CVD工艺
B.氧化层用CVD工艺
C.氮化硅用低压CVD工艺
D.氧化层用热氧化工艺
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多项选择题
1990’s CMOS IC 工艺技术特征是（）。
A.浅槽隔离工艺
B.铝栅工艺
C.多晶硅栅工艺
D.硅外延片衬底 -
多项选择题
Stepper的优点有（）。
A.光刻版的精度和良率高
B.可分步重复曝光
C.减小了尘埃的影响
D.套刻精度高 -
多项选择题
对非光学曝光表述正确的是（）。
A.X-射线是非光学曝光
B.电子束是非光学曝光
C.非光学曝光都不需要光刻版
D.EUV是非光学曝光
