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单项选择题
目前生长半导体单晶最常见的方法是（）
A.直拉法
B.CVD法
C.布里兹曼法
D.液相外延法 -
单项选择题
以下熔体生长法生长晶体描述正确的是（）
A.材料必须在熔化过程中成分不变
B.材料在是温和熔点之间能够发生相变
C.二氧化硅可以用于熔体生长法
D.材料在熔化前能够分解 -
单项选择题
以下对于晶体生长的方法描述错误的是（）
A.金刚石一般采取固相生长法
B.Si晶体一般采用溶液生长法
C.GaN可以采取气相生长法
D.任何两相之间都有亚稳区存在，当热力学条件处于亚稳相区才有新相的产生
