单项选择题
功耗越大,则门越快。对于给定的工艺和门的拓扑结构,()和()的乘积一般为一常数,这一乘积称为PDP。
A.面积;速度
B.能量;延时
C.功耗;延时
D.功率;速度
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单项选择题
下面关于传播延时的定义错误的是()
A.传播延时是门的输出由低至高翻转的响应时间和门的输出由高至低翻转的响应时间这两个时间的平均值
B.通常所说的传播延时是针对门的
C.输入和输出波形的50%翻转点之间的时间
D.传播延时只与电路工艺和拓扑连接有关 -
单项选择题
面积较小的门往往较快并消耗()的能量,因为门的总电容常常随面积的减小而()。
A.较多;增大
B.较少;减小
C.较少;增大
D.较多;减小 -
填空题
参考典型0.25μmCMOS工艺的导线的平面电容和边缘电容值,考虑一条布置在第二层铝上的长10cm、宽2μm的铝线,计算出的总电容值为()pF。
