问答题
计算题
已知n沟道MOSFET的沟道长度L=10μm，沟道宽度W=400μm，栅氧化层厚度tax=150nm，阈值电压VT=3V，衬底杂质浓度NA=9×1014cm-3，求栅极电压等于7V时的漏源饱和电流。在此条件下，VDS等于几伏时漏端沟道开始夹断？计算中取μn=600cm2/（V·s）。
【参考答案】
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