单项选择题
关于CMOS反相器的开关阈值，下列说法错误的是（）。
A.开关阈值取决于PMOS和NMOS管相对驱动强度的比
B.一般希望开关阈值处于电压摆幅的中点
C.提高NMOS的驱动强度将使开关阈值趋近于GND
D.增加PMOS或NMOS的宽度使开关阈值分别向电线接地端或电源电压移动
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单项选择题
由静态CMOS反相器的动态特性可知，一个快速门的设计是通过（）实现的。
A.减小输出电容或加大器件的W/L实现的
B.增大输出电容或减小器件的W/L实现的
C.增大输出电容或加大器件的W/L实现的
D.减小输出电容或减小器件的W/L实现的 -
单项选择题
下列关于静态CMOS的特性，错误的是（）。
A.逻辑电平与器件的相对尺寸无关
B.输出电压摆幅等于电源电压
C.由于反相器的输入节点只连到晶体管的栅上，所以稳态输入电流几乎为零
D.CMOS反相器具有高输出阻抗，这使它对噪声和干扰不敏感 -
单项选择题
晶体管是一个具有（）（当丨VGS丨T丨时）和（）（当丨VGS丨>丨VT丨时）的开关。
A.有限关断电阻、无限导通电阻
B.有限关断电阻、有限导通电阻
C.无限关断电阻、有限导通电阻
D.无限关断电阻、无限导通电阻
