单项选择题
互补CMOS 2输入与非门和伪NMOS 2输入与非门相比，正确的表述是（）。
A.互补CMOS逻辑门的下降速度更快，静态功耗更高
B.互补CMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更低
C.伪NMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更高
D.伪NMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更低
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多项选择题
增加去耦电容可以抑制Ldi/dt效应，那么芯片内部去耦电容正确的放置方式是（）。
A.在芯片当中的任一位置上放置一个电容
B.靠近大的驱动器的地方应该放置去耦电容
C.电源线下方应该放置去耦电容
D.尽量远离要稳定的电源电压的电路 -
单项选择题
芯片中通常把电源线和地线布线成纵横交错的网格状，以降低IR drop，其原理是（）。
A.可以减小各处电路的电源/地线上的寄生电阻
B.可以减小流过电源/地线上的电流
C.可以使得芯片各处的电源/地线上的寄生电阻相等
D.增大导线的对地电容，滤除电压的波动 -
多项选择题
下列情形中会使得存在电容串扰时受害信号线受到更大干扰的是（）。
A.耦合电容更大
B.干扰信号摆幅大
C.受害信号线是低阻抗节点（被低的驱动电阻驱动）
D.干扰信号翻转速度快
