问答题
简答题
简述3.0μm CMOS集成电路工艺技术工艺流程。
【参考答案】
①双阱工艺:备片→初氧氧化→光刻N阱区→N阱磷注入→刻蚀初氧层→光刻P......
(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
点击查看答案
相关考题
-
问答题
简述CMP技术的优点。 -
名词解释
化学机械平坦化(CMP) -
问答题
简述什么是硅化物及其作用。
