欢迎来到财会考试题库网
财会考试题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
微电子学
搜题找答案
填空题
在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于()。
【参考答案】
沟道夹断;载流子漂移速度的饱和
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
填空题
阈电压V的短沟道效应是指,当沟道长度缩短时,V变()。
填空题
为提高跨导g的截止角频率ω,应当()μ,()L,()V。
填空题
MOSFET的跨导的定义是(),反映了()对()的控制能力。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题