单项选择题
P-Sub的理想MOS结构在耗尽状态时，半导体表面空间电荷区的电荷主要是（），此时半导体表面（）导电。
A.电子，可以
B.空穴，可以
C.施主离子，不可以
D.受主离子，不可以
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单项选择题
MOS晶体管的（）可以用来表征栅电压对其沟道电流的控制能力，其值越（），则表示这种控制能力也越强。
A.电流放大系数，大
B.电流放大系数，小
C.跨导，小
D.跨导，大 -
单项选择题
已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为1017/cm3，则这是（）型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的（）
A.N，上方
B.P，上方
C.P，下方
D.N ，下方 -
单项选择题
已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度（）空穴浓度。
A.大于
B.小于
C.等于
D.无法判断
