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用Grove模型解释分别在高温区、低温区外延生长时温度与生长速度的关系。
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问答题
详述影响硅外延生长速率的因素。
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每拉出g=1/2处,ρ=1Ω·cm的硅单晶锭100g,所用的硅是区熔硅(即纯硅),问要掺杂质硼多少克?
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