单项选择题
短沟道器件的阈值电压往往会随时间漂移，这是由于热载流子效应，一般这个效应使NMOS器件的阈值电压（），使PMOS器件的阈值电压（）。
A.升高；升高
B.升高；降低
C.降低；升高
D.降低；降低
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单项选择题
下面有关MOS晶体管阈值电压的说法不正确的是（）
A.当源与体之间存在衬底偏置电压时，将会使n沟MOS管的阈值电压增大
B.阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值，对于PMOS器件是一个负值
C.随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大 -
单项选择题
二极管在正向偏置条件下，势垒（），耗尽区的宽度（）。
A.降低；变窄
B.降低；变宽
C.升高；变窄
D.升高；变宽 -
单项选择题
下面二极管静态特性描述中不正确的是（）
A.反偏置状态下，二极管的工作就像一个不导通或阻断的器件
B.在PN结上加上反向偏压，使p区的电势相对于n区降低，其结果是使扩散电流减小，漂移电流成为主导，于是电流从n区流向p区
C.二极管电流最重要的特性是它与所加偏置电压之间存在线性关系
D.在实际器件中，二极管的反向电流大于反向饱和电流，这是在耗尽区因热而产生电子空穴对造成的
