问答题
简答题
试说明CMOS工艺在硅片上形成氧化物的主要方法，以及他们间的本质区别。
【参考答案】
硅片上的氧化物有许多种方法产生：热生长和淀积，包括：热氧化法、CVD、热分解淀积法、阳极氧化法、反应溅射法等。
(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
点击查看答案
