判断题
有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
【参考答案】
错误
(↓↓↓ 点击‘点击查看答案’看答案解析 ↓↓↓)
点击查看答案&解析
判断题
错误
(↓↓↓ 点击‘点击查看答案’看答案解析 ↓↓↓)
微信扫一扫,加关注免费搜题