多项选择题
下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是()
A.当捕获71.JPG"alt="捕获,捕获74.JPG"alt="捕获时,NMOS器件工作在饱和区
B.当捕获73.JPG"alt="捕获时,且捕获72.JPG"alt="捕获时,NMOS器件工作在深线性区
C.当捕获71.JPG"alt="捕获,并且捕获72.JPG"alt="捕获,NMOS器件工作在线性区
D.当捕获73.JPG"alt="捕获时,NMOS器件工作在截止区
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判断题
如果一个电路的最高电压是VDD,最低电压是VSS,那么NMOS器件的衬底应该接VDD。 -
单项选择题
下列关于MOS版图说法不正确的是()
A.版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里
B.栅极的接触孔应该开在沟道区外
C.源结和漏结的一个尺寸等于W,另外一个尺寸要满足接触孔的需要,并且要满足设计规则
D.版图中沟道长度L的最小值由工艺决定 -
判断题
一般MOS器件的源漏是对称的,这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源极和漏极。
