多项选择题
下列对器件尺寸参数描述正确的有（）
A.tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定
B.L是器件的沟道长度，W是器件的宽度
C.一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L
D.一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox
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多项选择题
下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是（）
A.当捕获71.JPG"alt="捕获，捕获74.JPG"alt="捕获时，NMOS器件工作在饱和区
B.当捕获73.JPG"alt="捕获时，且捕获72.JPG"alt="捕获时，NMOS器件工作在深线性区
C.当捕获71.JPG"alt="捕获，并且捕获72.JPG"alt="捕获，NMOS器件工作在线性区
D.当捕获73.JPG"alt="捕获时，NMOS器件工作在截止区 -
判断题
如果一个电路的最高电压是VDD，最低电压是VSS，那么NMOS器件的衬底应该接VDD。 -
单项选择题
下列关于MOS版图说法不正确的是（）
A.版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里
B.栅极的接触孔应该开在沟道区外
C.源结和漏结的一个尺寸等于W，另外一个尺寸要满足接触孔的需要，并且要满足设计规则
D.版图中沟道长度L的最小值由工艺决定
