多项选择题
下列关于体效应的说法，正确的是（）
A.源电压相对于衬底电势发生改变，使得源衬电势差不为0，就会产生体效应。
B.改变衬底电势可能会产生体效应。
C.不改变衬底电势也可能会产生体效应。
D.体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。
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多项选择题
下列对器件尺寸参数描述正确的有（）
A.tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定
B.L是器件的沟道长度，W是器件的宽度
C.一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L
D.一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox -
多项选择题
下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是（）
A.当捕获71.JPG"alt="捕获，捕获74.JPG"alt="捕获时，NMOS器件工作在饱和区
B.当捕获73.JPG"alt="捕获时，且捕获72.JPG"alt="捕获时，NMOS器件工作在深线性区
C.当捕获71.JPG"alt="捕获，并且捕获72.JPG"alt="捕获，NMOS器件工作在线性区
D.当捕获73.JPG"alt="捕获时，NMOS器件工作在截止区 -
判断题
如果一个电路的最高电压是VDD，最低电压是VSS，那么NMOS器件的衬底应该接VDD。
