多项选择题
下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（）
A.当时，漏极电流以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失
B.MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA常用于低功耗放大器、带隙基准设计
C.亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数
D.MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当捕获75.JPG"alt="捕获，仍有存在
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多项选择题
下列关于体效应的说法，正确的是（）
A.源电压相对于衬底电势发生改变，使得源衬电势差不为0，就会产生体效应。
B.改变衬底电势可能会产生体效应。
C.不改变衬底电势也可能会产生体效应。
D.体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。 -
多项选择题
下列对器件尺寸参数描述正确的有（）
A.tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定
B.L是器件的沟道长度，W是器件的宽度
C.一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L
D.一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox -
多项选择题
下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是（）
A.当捕获71.JPG"alt="捕获，捕获74.JPG"alt="捕获时，NMOS器件工作在饱和区
B.当捕获73.JPG"alt="捕获时，且捕获72.JPG"alt="捕获时，NMOS器件工作在深线性区
C.当捕获71.JPG"alt="捕获，并且捕获72.JPG"alt="捕获，NMOS器件工作在线性区
D.当捕获73.JPG"alt="捕获时，NMOS器件工作在截止区
