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直拉单晶硅工艺学
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填空题
K有效受晶体生长速度即()和()影响。
【参考答案】
拉晶速度f;富集层厚度δ
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填空题
计算杂质的分凝系数时,()中的杂质原子总数加()中的杂质原子总数等于掺杂元素的原子总数。
填空题
生长电阻率为10-2欧姆•厘米至10-4欧姆•厘米硅单晶时,硅单晶含杂质多,掺杂量大,一般用()掺杂。
填空题
以硅为例,若硅的纯度为9个“9”,即1立方厘米中含硅原子的百分数为(),也就是说1立方厘米的硅中含有的杂质占()PPb。
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