单项选择题
离子注入、退火、快速热退火的英文分别是（）
A.anneal，ion implantation，RTA
B.diffusion，anneal，RTA
C.ion implantation，anneal，RTA
D.ion implantation，anneal，CVD
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单项选择题
（）是指按照一定的方式将杂质掺入到半导体材料中，改变材料电学性质，达到形成半导体器件的目的。
A.光刻
B.掺杂
C.刻蚀
D.金属化 -
单项选择题
蒸发和溅射对应的英文是（）
A.sputtering-evaporation
B.evaporation-sputtering
C.oxidation-epitaxy
D.epitaxy-sputtering -
单项选择题
蒸镀的过程为（）
A.蒸发—气相质量输运—淀积成膜
B.离化—气相质量输运—淀积成膜
C.蒸发—离化—淀积成膜
D.离化—挥发—淀积成膜
