在分析大扇入逻辑门时，内部节点电容变得十分显著从而不能忽略，对于下图所示的四输入NAND门及其RC模型，所有的NMOS尺寸相同，它们的等效电阻都为R_N，所有的PMOS尺寸相同，它们的等效电阻都为R_P，则其传播延时可以表示为（）。

A.t_pHL=0.69R_N（C₁+2C₂+3C₃+4C_L）
B.t_pHL=0.69R_N（C₁+2C₂+3C₃+C_L）
C.t_pHL=0.69R_N（C₁+C₂+C₃+C_L）
D.t_pHL=0.69R_P（C₁+C₂+C₃+C_L）