单项选择题
以下对于GaN描述错误的是（）。
A.可以制备成高频和大功率器件
B.是宽禁带半导体，可以生长在SiC上
C.高载流子迁移率
D.霍尔迁移率随着温度的增加而增加
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单项选择题
以下对于液态密封法生长GaAs描述错误的是（）。
A.化学计量可以得到很好的控制
B.可以生长大直径的晶体
C.液态密封法不能掺Si，因为会导致B的沾污
D.一般采用B2O3液封 -
单项选择题
以下对于GaAs描述错误的是（）。
A.在室温下，在氧和水蒸气气氛中性质稳定
B.可与浓硝酸反应，但不溶于王水
C.难以稳态本征氧化
D.难以生长出无位错单晶 -
单项选择题
以下对于GaAs材料描述错误的是（）。
A.电子迁移率高，适合做高频器件
B.带隙大可以做高温器件
C.晶体结构为纤锌矿结构
D.是直接带隙，光电转换效率高
