考题列表
- 问答题 简述杂质对扩散的影响。
- 问答题 简述热电偶真空规测量原理。
- 问答题 简述玻璃真空系统漏气的原因及防漏措施。
- 问答题 简述真空蒸镀的原理。
- 问答题 简述特殊活性原料的获得方法及效果。
- 判断题 CVD 工艺是在较低压力和较底温度下进行的，不仅用来增密炭基...
- 判断题 CVD 技术中通过沉积反应易于生成所需要的材料沉积物，而沉积...
- 判断题 强制对流是自流体因温度或浓度所产生的密度差所导致的。
- 判断题 在CVD 技术中反应剂在室温或不太高的温度下最好是气态或有较...
- 判断题 活性炭对物质的吸附是对极性基团少的化合物的吸附力大于极性基团...
- 判断题 双膜理论中在膜层以外的气、液两相主体中，由于流体充分湍动，吸...
- 判断题 吸附平衡关系由吸附过程的方向和极限决定的，是吸附过程的基本依据。
- 判断题 CVD 装置通常可以由气源控制部件、沉积反应室、沉积温控部件...
- 判断题 反应气体或生成物通过边界层，是以扩散的方式来进行的，而使气体...
- 判断题 CVD 工艺希望反应气体以湍流的形式流动。
- 判断题 化学合成反应沉积是由两种或两种以上的反应原料气在沉积反应器中...
- 判断题 低压下从石墨转变成金刚石是一个典型的反自发方向进行的反应，它...
- 判断题 化学气相沉积乃是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光...
- 判断题 吸附质从流体主体通过分子与对流扩散穿过薄膜或边界层传递到吸附...
- 判断题 涡流扩散是在有浓度差异条件下，物质通过涡流流体的传递过程。
- 判断题 高压合成，就是利用外加的高压力，使物质产生多型相变或发生不同...
- 判断题 空气中铂的使用温度为1500℃，能在氧分压等于0.1MPa 下使用。
- 判断题 光学高温计只要选取一定的波长，通常选λ=0.78μm。
- 判断题 温度的高低不必用数字来说明，温标是温度的数值表示方法。
- 判断题 红外辐射温度计测量范围是600至1600℃，基本误差≤±10℃。
- 判断题 高温反应受热容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金属容器等等。
- 判断题 MoSi2宜在低于1000℃下长时间使用。
- 判断题 Ni-Cr 和Fe-Cr-Al 合金电热体的工作温度是100...
- 判断题 在电离真空计中，电子在飞行路途中产生的正离子数，正比于气体密...
- 判断题 利用热电偶的电势与加热元件的温度有关，元件的温度又与气体的热...
- 判断题 人们通常把能够从密闭容器中排出气体或使容器中的气体分子数目不...
- 判断题 静高压高温直接转变合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外...
- 判断题 高压高温合成法目的是寻求经卸压降温后的高压高温合成产物能够在...
- 判断题 表面区原子（或离子）间的距离偏离体内的晶格常数，而晶胞结构变...
- 判断题 界面张力的大小反映界面热力学的稳定性。
- 判断题 共价晶体不需考虑长程力的作用，表面能（Er）即是破坏单位面积...
- 判断题 界面化学是以均匀体系内相与相的界面上发生的物理化学变化规律及...
- 判断题 晶界不会对离子扩散的选择性具有增强作用。
- 判断题 间隙扩散、空位扩散、环形扩散机理都是通过点缺陷而进行的体扩散。
- 判断题 环形扩散机理的发生不会引起晶格的变形，且不需要很高的活化能。
