考题列表
- 问答题 解释离子束扩展和空间电荷中和。
- 问答题 离子源的目的是什么？最常用的离子源是什么？
- 问答题 例举离子注入设备的5个主要子系统。
- 问答题 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
- 问答题 例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
- 问答题 什么是结深？
- 问答题 什么是掺杂？例举四种常用的掺杂杂质并说明它们是n型还是p型？
- 问答题 叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
- 问答题 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
- 问答题 描述电子回旋共振（ECR）。
- 问答题 解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。
- 问答题 干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。...
- 问答题 定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是低？高选择比意味着什么？
- 问答题 定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？
- 问答题 刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。
- 问答题 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
- 问答题 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？
- 问答题 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
- 问答题 给出投影掩模板的定义。投影掩模板和光掩模板的区别是什么？
- 问答题 光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？
- 问答题 解释扫描投影光刻机是怎样工作的？扫描投影光刻机努力解决什么问题？
- 问答题 光学光刻中影响图像质量的两个重要参数是什么？
- 问答题 例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。
- 问答题 描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。
- 问答题 例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。
- 问答题 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
- 问答题 例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。
- 问答题 解释什么是暗场掩模板？
- 问答题 解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？...
- 问答题 描述化学机械平坦化工艺。
- 问答题 例举双大马士革金属化过程的10个步骤。
- 问答题 描述RF溅射系统。
- 问答题 什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的原因是什么？
- 问答题 什么是阻挡层金属？阻挡层材料的基本特征是什么？哪种金属常被用...
- 问答题 例举并讨论引入铜金属化的五大优点。
- 问答题 解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。
- 问答题 例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
- 问答题 解释下列名词：互连、接触、通孔和填充塞。
- 问答题 采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
- 问答题 质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别？
