问答题
简述蒸发的优缺点。
优点：①成膜速率高（能蒸发5微米厚的铝膜）；②金属膜纯度高。 缺点：①台阶覆盖能力差；②不能沉积金属合金。
问答题 简述沉积多晶硅采用什么CVD工具？掺杂的Poly－Si的主要用途。写出掺杂的Poly－Si做栅电极的6个原因。
问答题 简述在APCVD SiO2时掺杂PH3，形成磷硅玻璃（PSG）的优缺点。
问答题 简述低压CVD系统（LPCVD）的优缺点。
