多项选择题
抑制通道效应的方法有（）
A.破坏表面硅原子的排列（预先浅注入）B.将晶圆倾斜一定的角度C.表面铺一层非结晶材质SiO2D.进行快速热退火
多项选择题 离子注入过程中，常用的退火方法有（）
多项选择题 属于氧化层表面缺陷的是（）
多项选择题 为减少自掺杂现象，可以采取的措施有（）
