单项选择题
对晶向为<111>，6英寸N型半导体材料来说，（）是作为放置第一步的光刻图形的掩膜版的依据。
A.主平面B.次平面C.两表平面均可D.定位槽
单项选择题 晶向为.8英寸P型半导体材料的定位方式是沿着硅锭长度研磨出（）
单项选择题 从安全上看，四氯化硅氢还原法.三氯氢硅氢还原法.硅烷热分解法的安全性从小到大排列的顺序为：（）
单项选择题 离子注入、退火、快速热退火的英文分别是（）
