单项选择题
若一导线宽为W,高为H,则对于较大的W/H,边缘场电容模型中的总电容可以近似为(),而当W/H小于1.5时,总电容中占主要部分的是()。
A.接地电容;边缘电容B.平板电容;接地电容C.平板电容;边缘电容D.边缘电容;平板电容
单项选择题 在考虑一条简单的矩形导线放在半导体衬底上时,如果导线的宽度明显大于它与衬底之间的绝缘材料的厚度时,就可以假设电场线()于电容极板,那么这两者之间的电容就可以用平行板电容模型来模拟,总电容可近似为()。
填空题 为了保证新器件与现有器件兼容,电压不能随意地缩放,所以恒定电场缩小模式不是一种现实可行的选择。热载流子效应和栅氧击穿这样一些物理效应,使恒定()缩小模式不再被使用。
填空题 当晶体管的W值较小时,受窄沟道效应的影响,晶体管的阈值电压()(填“升高”或“降低”)。