问答题
试说明热氧化法的两种基本方法及每种方法的生长机理（或过程），并比较两种方法的主要异同点。
干氧氧化：氧化开始时，是氧分子与硅片表面的硅原子进行化学反应，形成初始氧化层，其反应方程式为：Si+O2(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
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问答题 什么是氧化硅中网络形成者和网络改变者？并举二例说明它们对氧化层结构和性质的影响。
问答题 指出硅工艺中厚度最小的和最大的氧化层的主要应用，并说明它们的作用是否相同，以及为什么。
问答题 什么是表面钝化？它的主要作用是什么？当前CMOS工艺中最典型的表面钝化层采用何种材料？
