单项选择题
在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。
A.刻蚀 B.离子注入 C.光刻 D.金属化
单项选择题 NMOS源漏的掺杂类型分别为（）
单项选择题 NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。
单项选择题 在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）
