判断题
扩散和离子注入都可以实现半导体掺杂,所以可以任意选择。
错误
判断题 固-固扩散是利用晶圆表面含有所需杂质的氧化层作为杂质源进行扩散的方法。
判断题 使用化学腐蚀法检查针孔时,硅表面的腐蚀坑数目就是二氧化硅的针孔数目()
判断题 薄膜制备的方式中,CVD不消耗衬底材料。