多项选择题
EUV技术难点有（）
A.所有设备均需工作在高真空环境下B.靶材的使用寿命较低C.难以找到合适的光刻胶D.光源功率较低
多项选择题 光刻光源有（）
多项选择题 倒角的目的是（）
多项选择题 单晶硅生长过程中，无位错正常生长的标志有（）
