多项选择题
单晶硅生长过程中，无位错正常生长的标志有（）
A.晶棱随细颈转为宽平B.有反光或细颈某一侧向外鼓起C.长出规定尺寸的细颈D.界面出现抖动的光圈
多项选择题 直径大于8英寸的单晶硅锭可以用（）方法制备出来。
多项选择题 工业上用二氧化硅和碳在高温下以一定的比例混合发生置换反应得到的单质硅纯度约为98%，主要含有（）等杂质。
多项选择题 提高离子注入剂量的方法有（）
