多项选择题 根据下图所示的MOS管版图，可知下列几个寄生电容与沟道宽度W成正比的有（粉色为多晶硅层，绿色为有源区层，黑色为接触孔层，深绿色为金属层）（）。

单项选择题 下图是短沟增强型NMOS管的一阶手工分析模型的源漏电流-源漏电压关系图，L1、L2和L3三条虚线把晶体管的工作区划分为三个区域（分别用I、II、III表示），它们分别对应线性区（电阻区）、速度饱和区和饱和区。下列工作区名称对应关系正确的是（）。

多项选择题 下面工艺参数变化会使得NMOS硅栅晶体管的阈值电压升高的有（）。